Diodo Union PN
Transcript of Diodo Union PN
![Page 1: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/1.jpg)
Diapositiva 1
LA UNIÓN P-NLa unión p-n en circuito abierto
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
+
+
+
+
++
+
+
+
+
+
++
+
+
+
+
+
++
+-
+
-
-
-
-
+
+
+
+
-
--
-
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
++
+
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
++
+
-
-
-
-
A K
Zona de
deplexión
Unión
p n
Contacto óhmico
Iones de impurezas dadoras
Iones de impurezas aceptoras
Electrón
Hueco
![Page 2: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/2.jpg)
Diapositiva 2
LA UNIÓN P-NLa unión p-n en polarización inversan Movimiento de portadoresn Corriente
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
+
+
+
+
++
+
+
+
+
+
++
+
+
+
+
+
++
+-
+-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
- +
+
+
-
-
-
- +
+
+
+ +
+
+
+
++
+
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
K
+
A
_
MayoritariosMinoritarios
![Page 3: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/3.jpg)
Diapositiva 3
LA UNIÓN P-NLa unión p-n en polarización directan Movimiento de portadoresn Corriente
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
+
+
+
+
++
+
+
+
+
+
++
+
+
+
+
+
++
+-
+-
-
-
-
+
+
-
- +
- +
+
+
+
++
+
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
++
+
MayoritariosMinoritarios
K_A +
![Page 4: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/4.jpg)
Diapositiva 4
LA UNIÓN P-NPotencial de contacto y ancho de la región de transición de una unión p-n.
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
+_ XDensidad de carga
XCampo eléctrico
X
Potencial
A K
p n
ερ−=
2
2
dxVd
dxdxdV
E ∫=−=ερ
dxEV ∫−=
Barrera de potencial
_ ++_
_ +
E
-
_
Vo
![Page 5: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/5.jpg)
Diapositiva 5
LA UNIÓN P-NBarrera de potencial y ancho de la región de transición de una unión p-n, con polarización inversa
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
+_ XDensidad de carga
XCampo eléctrico
X
Potencial
A K
p n
VVV oB +=
_ ++_
_ +
E
-
_
Vo
+_
VVB
+_I0
V
![Page 6: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/6.jpg)
Diapositiva 6
LA UNIÓN P-NBarrera de potencial y ancho de la región de
transición de una unión p-n, con polarización directa
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
+_ XDensidad de carga
XCampo eléctrico
XPotencial
A K
p n
VVV oB −=
_ ++_
E
-
Vo
+ _V
V
VB
I
![Page 7: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/7.jpg)
Diapositiva 7
LA UNIÓN P-NComponentes de corriente en polarización
directa
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
A K
p n
_ ++_
+ _V I
Concentración de portadores X0
nn
npo
pp
pno
Corriente
I
X0
![Page 8: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/8.jpg)
Diapositiva 8
LA UNIÓN P-NEcuación de la unión: Hipótesis restrictivasn Ancho de la zona de transición despreciable
n En la zona de transición no hay generación de pares electrón-hueco
n Se desprecian las corrientes de fuga en la superficie del semiconductor ni corrientes transversales
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
![Page 9: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/9.jpg)
Diapositiva 9
LA UNIÓN P-NEcuación de la unión: Deducción
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
pno
pn(x)
0 XdX
pn(0)
Pn(0)
Pn(x)nonn pxPxp += )()(
dxxdp
SqDxI nppn
)()( −=
)1( −
+= TV
V
eL
nD
L
pDqSI
n
pon
p
nop
HUECOS
pLx
nn ePxP−
×= )0()(
T
oV
VV
npo epp−
×= )0( Ley de la Unión
)1()0( −= TV
V
p
noppn e
L
pSqDI
ELECTRONES
)1()0( −= TV
V
n
ponnp e
L
nSqDI
![Page 10: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/10.jpg)
Diapositiva 10
LA UNIÓN P-NCorriente inversa de saturaciónn Discrepancias del valor teórico y prácticon Dependencia
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
)(TfL
nD
L
pDqSI
n
pon
p
nopo =
+=
![Page 11: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/11.jpg)
Diapositiva 11
DIODO SEMICONDUCTOREcuación de la característica tensión-intensidad
Representación gráfican Tensión umbral (Vγγ)n OFF<> Corten ON <> Conducción
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
)1( −= TVV
eII oη
V
I
0 Vγγ
Polarización inversa
Polarización directa
OFF ON
V V+ +- -
TVV
eII oη≅
oII −≅AA KK
![Page 12: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/12.jpg)
Diapositiva 12
DIODO SEMICONDUCTORGermanio vs Silicio
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
V
I
0
Ge Si
0,2 0,6
![Page 13: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/13.jpg)
Diapositiva 13
DIODO SEMICONDUCTOR
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 1. Cálculo y representación de la característica de un diodo.
D A T O S INCOGNITAS
Semiconduc to r Sil icio Tens ión (V ) I n t e n s i d a d ( m A )
2 ,00 0 ,65 0,2868
In tens idad inv .de sa tur . (nA) 1 ,00 0 ,68 0,5123
Tempera tu ra ( ºK ) 300 0 ,71 0,9150
0 ,74 1,6342
0 ,77 2,9188
0 ,80 5,2130
0 ,83 9,3106
0 ,86 16,6291
0 ,89 29,7003
0 ,92 53,0458
η
![Page 14: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/14.jpg)
Diapositiva 14
DIODO SEMICONDUCTOR
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 2. Cálculo de la intensidad y tensión entre bornas de un diodo.
Método general de cálculo: Resolución del sistema formado por la recta de carga del circuito y la ecuación del diodo.
-
+
-+
VoV
R
ID
A
K
)1( −= TVoV
eII oη
oD VRIV +=
DATOS INCOGNITASSemiconductor Germanio Tensión entre bornas (V) Intensidad(mA)Tensión de la Fuente (V) 6,00 0,0000 3,0000Resistencia (Kilo-ohmios) 2,00 0,3262 2,8369
1,00 0,3247 2,8376Intensidad inv.de satur.(nA) 10,00 0,3247 2,8376Temperatura (ºK) 300 0,3247 2,8376
η
Método iterativo
![Page 15: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/15.jpg)
Diapositiva 15
DIODO SEMICONDUCTORRespuesta de un diodo a la temperaturaReglas prácticas
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
V
I
0
T1 To>10
1
1
2)()(ott
ooo tItI−
×≅
1º07,0 −≅∆
∆C
TII
o
o
CmVTV
/º5,2−≅∆∆
![Page 16: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/16.jpg)
Diapositiva 16
DIODO SEMICONDUCTOR
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 3. Según la ecuación anterior la corriente inversa de saturacióndel germanio debería aumentar un 11%/ºC, pero experimentalmente obtenemos en el laboratorio que la variación práctica con la temperatura es alrededor del 7%/ºC, cuando aplicamos una tensión inversa de 6V siendo la corriente de 1µA. Esta situación se interpreta como si el diodo teórico estuviera en paralelo con una resistencia que representa las corrientes de fugas del dispositivo. Calcular esta resistencia.
![Page 17: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/17.jpg)
Diapositiva 17
DIODO SEMICONDUCTOR
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 4. La resistencia térmica del contacto mecánico del chasis de un diodo con su medio es de 0,1 mW/ºC, es decir, disipa 0,1 mW por cada grado de aumento de la temperatura. No se permite que la temperatura del diodo aumente por encima de la ambiente (25ºC) más de 20ºC. Si la corriente inversa de saturación es de 1µA a 25ºC y teniendo en cuenta que ésta se duplica por cada 10ºC de aumento, calcular la tensión inversa máxima que se puede aplicar al diodo.
![Page 18: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/18.jpg)
Diapositiva 18
DIODO SEMICONDUCTORResistencia estática
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
V
I
V1 V2 V3
I2
I3
I1 F
FF I
VR =∞→=
R
RR I
VR
![Page 19: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/19.jpg)
Diapositiva 19
DIODO SEMICONDUCTORResistencia dinámica o incremental
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
V
IαtagdI
dVr
1==
α∞→==
01
tagdIdV
r
αtagdIdV
r1
==
![Page 20: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/20.jpg)
Diapositiva 20
DIODO SEMICONDUCTOR
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 5. Un diodo ideal de germanio tiene a temperatura ambiente una resistencia estática de 5 Ω, siendo la intensidad en ese punto de 50 mA. Calcular la resistencia dinámica del diodo cuando se polariza directamente con una tensión de 0,3 V.
![Page 21: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/21.jpg)
Diapositiva 21
DIODO SEMICONDUCTORCapacidad de transición
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
V
I
wS
dVdQ
CT ε==
V +-
A K
V +-
A K
![Page 22: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/22.jpg)
Diapositiva 22
DIODO SEMICONDUCTOR
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 6. Se usan con frecuencia diodos polarizados inversamente como condensadores variables gobernados por tensión. La capacidad de transición de un diodo de unión abrupta es de 12 pF a 6V . Hallar la disminución de capacidad cuando la polarización aumenta 1V.
![Page 23: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/23.jpg)
Diapositiva 23
DIODO SEMICONDUCTORCapacidad de difusión
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
rDL
D
L
dVdq
Cn
n
p
pD
122
×
+==
V
I V +-
AK
V +-
AK
![Page 24: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/24.jpg)
Diapositiva 24
DIODO SEMICONDUCTOR
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 7. En un diodo de silicio en que el lado p está mucho más dopado que el lado n, la longitud de difusión es de 3x10-6 m., la movilidad de los huecos 500 cm2/V-s y la capacidad de difusión 2 nF. Calcular la intensidad de corriente que pasa por él a temperatura ambiente. Se desprecia la corriente inversa de saturación.
![Page 25: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/25.jpg)
Diapositiva 25
DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHAEfecto de ruptura o de avalancha: temperaturaEfecto Zener: campo eléctrico
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
V
I
Vz
Zona de ruptura o de avalancha
![Page 26: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/26.jpg)
Diapositiva 26
DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA
Efecto de ruptura o de avalancha: temperatura
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
+_ XDensidad de carga
XCampo eléctrico
X
Potencial
A K
p n
oVV >>
_ ++_
_ +
E
-
_
Vo
+_
VVB
+_IV
Electrones con mayor energía térmica generan
huecos
Huecos con mayor energía térmica
generan electrones
![Page 27: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/27.jpg)
Diapositiva 27
DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA
Efecto Zener: campo eléctrico
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
+_ XDensidad de carga
XCampo eléctrico
X
Potencial
A K
p n
oVV >>>
_ ++_
_ +
-
_
Vo
+_
VVB
+_IV
Electrones con mayor energía potencial generan
huecos
+++
____
+
Electrones con mayor energía potencial generan
huecos
Campo
intenso
![Page 28: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/28.jpg)
Diapositiva 28
DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSIÓN
Carga variable
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
I
Vz
Izmín.
Izmáx.
IVV
R Z−=
LLZ RICteV == .
.. CteICteV =⇒=
↑↓⇒↑⇒ ZLL IIR
↓↑⇒↓⇒ ZLL IIRSi
Si
V
V+
-
+-
VZ
R
RL
IL
IZ
IV+
-
+
-
VZ
R
IL
IZ
I
![Page 29: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/29.jpg)
Diapositiva 29
DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 8. En un circuito regulador de tensión de acuerdo con los datos calcular las incógnitas.
DATOS INCOGNITAST e n s i ó n d e f u e n t e ( V ) 2 4 , 0 0 I n t e n s i d a d m á x . e n e l Z e n e r ( m A ) 8 0 , 0 0
I n t e n s i d a d m á x . d e c a r g a ( m A ) 1 0 0 , 0 0 P o t e n c i a m á x . d i s i p a d a Z e n e r ( W ) 0 ,96
I n t e n s i d a d m í n . d e c a r g a ( m A ) 3 0 , 0 0 Res i s tenc ia de regu lac ión (óhm ios ) 1 0 9 , 0 9
Tens ión de regu lac ión (V ) 1 2 , 0 0 R e s i s t e n c i a d e c a r g a m á x . ( ó h m i o s ) 4 0 0 , 0 0
I n t e n s i d a d m í n . d e l Z e n e r ( m A ) 1 0 , 0 0 R e s i s t e n c i a d e c a r g a m í n . ( ó h m i o s ) 1 2 0 , 0 0
![Page 30: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/30.jpg)
Diapositiva 30
DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSIÓN
Fuente variable
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
I
Vz
Izmín.
Izmáx.
IVV
R Z−=
.. CteICteV LZ =⇒=.. CteICteV ≠⇒≠
↑↑⇒↑⇒ ZIIV
↓↓⇒↓⇒ ZIIV
Si
Si
V
V+
-
+
-
VZ
R
RL
IL
IZ
IV+
-
+
-
VZ
R
IL
IZ
I
![Page 31: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/31.jpg)
Diapositiva 31
DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 9. En un circuito regulador de tensión de acuerdo con los datos calcular las incógnitas.
DATOS INCOGNITAST e n s i ó n d e f u e n t e m í n i m a ( V ) 2 4 , 0 0 R e s i s t e n c i a d e c a r g a ( ó h m i o s ) 4 0 0 , 0 0
T e n s i ó n d e f u e n t e m á x i m a ( V ) 1 0 0 , 0 0 I n t e n s i d a d m á x . e n e l Z e n e r ( m A ) 2 1 2 , 0 0
I n t e n s i d a d e n l a c a r g a ( m A ) 3 0 , 0 0 P o t e n c i a m á x . d i s i p a d a Z e n e r ( W ) 2 ,54
T e n s i ó n d e r e g u l a c i ó n ( V ) 1 2 , 0 0 R e s i s t e n c i a d e r e g u l a c i ó n ( ó h m i o s ) 3 6 3 , 6 4
I n t e n s i d a d m í n . d e l Z e n e r ( m A ) 3 ,00
![Page 32: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/32.jpg)
Diapositiva 32
DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSIÓN
Carga y fuente variables
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
I
Vz
Izmín.
Izmáx.
..
.
..
.
ZmínLmáx
Zmín
ZmáxLmín
Zmáx
IIVV
IIVV
R+−
=+−
=
.. CteICteV ≠⇒≠LLZ RICteV == .
RL
V
V+
-
+
-
VZ
R
RL
IL
IZ
IV+
-
+
-
VZ
R
IL
IZ
I
![Page 33: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/33.jpg)
Diapositiva 33
DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 10. En un circuito regulador de tensión de acuerdo con los datos calcular las incógnitas.
DATOS INCOGNITAST e n s i ó n d e f u e n t e m í n i m a ( V ) 2 4 , 0 0 Res i s tenc ia de regu lac ión (óhm ios ) 1 0 9 , 0 9
T e n s i ó n d e f u e n t e m á x i m a ( V ) 1 0 0 , 0 0 I n t e n s i d a d m á x . e n e l Z e n e r ( m A ) 7 7 6 , 6 7
I n t e n s i d a d m á x . d e c a r g a ( m A ) 1 0 0 , 0 0 P o t e n c i a m á x . d i s i p a d a Z e n e r ( W ) 9 ,32
I n t e n s i d a d m í n . d e c a r g a ( m A ) 3 0 , 0 0 R e s i s t e n c i a d e c a r g a m á x . ( ó h m i o s ) 4 0 0 , 0 0
Tens ión de regu lac ión (V ) 1 2 , 0 0 R e s i s t e n c i a d e c a r g a m í n . ( ó h m i o s ) 1 2 0 , 0 0
I n t e n s i d a d m í n . d e l Z e n e r ( m A ) 1 0 , 0 0
![Page 34: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/34.jpg)
Diapositiva 34
DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSIÓN
Característica con pendiente: caso general
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
I
∆∆Vz
Izmín.
Izmáx.
..
..
..
..
ZmínLmáx
Zmínmín
ZmáxLmín
Zmáxmáx
IIVV
IIVV
R+−
=+−
=
.. CteICteV ≠⇒≠.CteVZ ≠
RL
V
V+
-
+
-
VZ
R
RL
IL
IZ
IV+
-
+
-VZ
R
IL
IZ
I
r
![Page 35: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/35.jpg)
Diapositiva 35
DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 11. En un circuito regulador de tensión de acuerdo con los datos calcular las incógnitas (análisis).
DATOS INCOGNITASTens ión de fuen te mín ima (V ) 20,00 Res is tenc ia de regu lac ión (óhmios ) 250,00
Tens ión de f uen te máx ima (V ) 25,00 Tens ión de regu lac ión máx . (V ) 10,77
Tens ión nom ina l Zene r (V ) 10,00 Tens ión de regu lac ión mín . (V) 10,09
Res is tenc ia de l Zener (óhmios ) 17,00 Potenc ia máx . d i s ipada Zener (W) 0,48
I n tens idad máx .de l Zener (mA) 45,00 I n tens idad mín . de ca rga (mA) 11,94
In tens idad mín . de l Zener (mA) 5,00 Res is tenc ia de ca rga mín . (óhmios ) 201,70
I n tens idad máx .de ca rga (mA) 50,00 Res i s tenc ia de ca rga máx . ( óhm ios ) 901,59
![Page 36: Diodo Union PN](https://reader034.fdocuments.ec/reader034/viewer/2022050815/547edcddb4af9fea158b56ad/html5/thumbnails/36.jpg)
Diapositiva 36
DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 12. En un circuito regulador de tensión de acuerdo con los datos calcular las incógnitas (síntesis).
DATOS INCOGNITASTens ión de fuen te mín ima (V) 20,00 Res is tenc ia de regu lac ión (óhmios) 180,00
Tens ión de fuen te máx ima (V) 25,00 In tens idad máx.en e l Zener (mA) 68,17
I n tens idad máx .de ca rga (mA) 50,00 Potenc ia máx. d is ipada Zener (W) 0,72
I n tens idad mín .de ca rga (mA) 12,00 Resis tenc ia de l Zener (óhmios) 7,44
Tens ión de regu lac ión máx . (V) 10,57 Resis tenc ia de carga máx. (óhmios) 880,83
Tens ión de regu lac ión mín . (V) 10,10 Resis tenc ia de carga mín. (óhmios) 202,00
In tens idad mín . de l Zener (mA) 5,00 Tens ión Zener (V ) 10,06