1. ¿Cuántos protones contiene el núcleo de un átomo de cobre?

a. 1

b. 4

c. 18

d. 29

2. La carga resultante de un átomo neutro de cobre es

a. 0

b. +1

c. -1

d. +4

3. Si a un átomo de cobre se le extrae su electrón de valencia, la carga

resultante vale:

a. 0

b. +1

c. -1

d. +4

4. La atracción que experimenta hacia el núcleo el electrón de valencia de un

átomo de cobre es:

a. Ninguna

b. Débil

c. Fuerte

d. Imposible de describir

5. ¿Cuántos electrones de valencia tiene un átomo de silicio?

a. 0

b. 1

c. 2

d. 4

6. El semiconductor mas empleado es:

a. Cobre

b. Germanio

c. Silicio

d. Ninguno de los anteriores

7. ¿Qué numero de protones posee un átomo de silicio?

a. 4

b. 14

c. 29

d. 32

8. Los átomos de silicio se combinan en una estructura ordenada que recibe el

nombre de:

a. Enlace covalente

b. Cristal

c. Semiconductor

d. Orbital de valencia

9. Un semiconductor intrínseco presenta algunos huecos a temperatura

ambiente causados por:

a. El dopaje

b. Electrones libres

c. Energía térmica

d. Electrones de valencia

10.Cada electrón de valencia en un semiconductor intrínseco establece un:

a. Enlace covalente

b. Electrón libre

c. Hueco

d. Recombinación

11.La unión de un electrón libre con un hueco recibe el nombre de:

a. Enlace covalente

b. Tiempo de vida

c. Recombinación

d. Energía Térmica

12.A temperatura ambiente un cristal de silicio intrínseco se comporta como:

a. Una batería

b. Un conductor

c. Un aislante

d. Un hilo de cobre

13.El tiempo que transcurre entre la creación de un hueco y su desaparición se

conoce como:

a. Dopaje

b. Tiempo de vida

c. Recombinación

d. Valencia

14.Al electrón de valencia de un conductor se le denomina también por:

a. Electrón ligado

b. Electrón libre

c. Núcleo

d. Protón

15.¿Cuántos tipos de flujo de portadores presenta un conductor?

a. 1

b. 2

c. 3

d. 4

16.¿Cuántos tipos de flujo de portadores presenta un semiconductor?

a. 1

b. 2

c. 3

d. 4

17.Cuando se aplica una tensión a un semiconductor, los huecos circulan:

a. Distanciándose del potencial negativo

b. Hacia el potencial positivo

c. En el circuito externo

d. Ninguna de las anteriores

18.¿Cuántos huecos presenta un conductor?

a. Muchos

b. Ninguno

c. Solo los producidos por la energía térmica

d. El mismo numero que de electrones libres

19.En un semiconductor intrínseco el numero de electrones libres es

a. Igual al numero de huecos

b. Mayor que el numero de huecos

c. Menor que el numero de huecos

d. Ninguna de las anteriores

20.La temperatura del cero absoluto es igual a

a. -273ºC

b. 0ºC

c. 25ºC

d. 50ºC

21.A la temperatura de cero absoluto un semiconductor intrínseco presenta:

a. Pocos electrones libres

b. Muchos huecos

c. Muchos electrones libres

d. Ni huecos ni electrones libres

22.A temperatura ambiente un semiconductor intrínseco tiene:

a. Algunos electrones libres y huecos

b. Muchos huecos

c. Muchos electrones libres

d. Ningún hueco

23.El numero de electrones libres y de huecos en un semiconductor intrínseco

aumenta cuando la temperatura:

a. Disminuye

b. Aumenta

c. Se mantiene constante

d. Ninguna de las anteriores

24.El flujo de electrones de valencia hacia la izquierda significa que los huecos

circulan hacia:

a. La izquierda

b. La derecha

c. En cualquier dirección

d. Ninguna de las anteriores

25.Los huecos se comportan como:

a. Átomos

b. Cristales

c. Cargas negativas

d. Cargas positivas

26.¿Cuántos electrones de valencia tienen los átomos trivalentes?

a. 1

b. 3

c. 4

d. 5

27.¿Qué numero de electrones de valencia tiene un átomo donador?

a. 1

b. 3

c. 4

d. 5

28.Si quisiera producir un semiconductor tipo p, ¿Qué emplearía?

a. Átomos aceptadores

b. Átomos donadores

c. Impurezas pentavalentes

d. Silicio

29.Los huecos son minoritarios en un semiconductor tipo:

a. Extrínseco

b. Intrínseco

c. Tipo n

d. Tipo p

30.¿Cuántos electrones libres contiene un semiconductor tipo p?

a. Muchos

b. Ninguno

c. Solo los producidos por la energía térmica

d. El mismo numero que de huecos

33. Una fuente de tensión es aplicada a un semiconductor tipo p. Si en el

izquierdo el cristal es positivo, ¿en qué sentido circularán los portadores

mayoritarios?

R. Hacia la derecha

34. ¿Cuál de los siguientes conceptos está menos relacionado con los otros

tres?

a) Conductor

b) Semiconductor

c) Cuatro electrones de valencia

d) Estructura cristalina

35. ¿Cuál de las siguientes temperaturas es aproximadamente igual a la

temperatura ambiente?

a) 0 º C

b) 50 º C

c) 25 º C

d) 75 º C

36. ¿Cuántos electrones hay en la orbital de valencia de un átomo de silicio

dentro de un cristal?

R. 8

37. Los iones positivos son átomos que:

R. Han perdido un electrón

38. ¿Cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo n?

a) Neutro

b) Cargado positivamente

c) Cargado negativamente

d) Tiene muchos huecos

39. Un semiconductor tipo p contiene huecos y:

R. Iones negativos

40. ¿Cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo p?

a) Neutro

b) Cargado positivamente

c) Cargado negativamente

d) Tiene muchos electrones libres

41. ¿Cuál de los siguientes elementos no se puede mover?

a) Huecos

b) Electrones libres

c) Iones

d) Portadores mayoritarios

42. ¿A qué se debe la zona de deplexión?

R. A los iones

43. La barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura ambiente es de

R. 0.7 V

44. Para producir una gran corriente en un diodo de silicio polarizado en directa, la

tensión aplicada debe superar:

R. 0.7 V

45. En un diodo de silicio la corriente inversa es normalmente:

R. Muy pequeña

46. La corriente superficial de gas es parte de:

R. La corriente inversa

47. La tensión que provoca el fenómeno de avalancha es:

R. La tensión de ruptura

48. La difusión de electrones libres a través de la unión de un diodo produce:

R. Polarización directa

49. Cuando la tensión inversa crece de 5V a 10V, la zona de deplexión:

R. Crece

50. Cuando un diodo es polarizado en directa, la recombinación de electrones

libres y huecos puede producir:

R. Calor, Luz, Radiación

51. Si aplicamos una tensión inversa de 20 V a un diodo, la tensión en la zona de

deplexión será:

R. 0.7V

52. Cada grado de aumento en la temperatura en la unión decrece la barrera de

potencial en:

R. 2mV

53. La corriente inversa de saturación se duplica cuando la temperatura de la

unión se incrementa:

R. 10 º C

54. La corriente superficial de fugas se duplica cuando la tensión inversa aumenta:

R. 7 por 100

PROBLEMAS

1. ¿Cuál es la carga neta de un átomo de cobre si gana tres electrones?

R. La carga es -3

2. ¿Cuánto vale la carga neta de un átomo de silicio si pierde todos sus electrones

de valencia?

R. La carga neta es +4

3. Clasifique cada uno de los siguientes como conductor o semiconductor:

a) Germanio: Semiconductor

b) Plata: Conductor

c) Silicio: Semiconductor

d) Oro: Conductor

5. Clasifique cada uno de los siguientes como semiconductor tipo n o tipo p:

a) Dopado por un átomo aceptador: Tipo p

b) Cristal con impurezas pentavalentes: Tipo n

c) Los portadores mayoritarios son huecos: Tipo p

d) Se añadieron átomos donadores al cristal: Tipo n

e) Los portadores minoritarios son electrones: Tipo p

Preguntas de entrevista de trabajo.

2.- ¿En qué se diferencia un semiconductor de un conductor?

Debido a su estructura atómica de cada material se puede clasificar como

conductor o semiconductor o aislante, los mejores conductores cuentan con un

electrón de valencia mientras que los mejores aislantes cuentan con 8, un

semiconductor debe estar en un 1 medio entre los dos mencionados, es decir

cuenta con 4 electrones en su capa valencia.

4.- De la idea básica de semiconductores dopados.

Se añaden átomos de impurezas a un cristal intrínseco para modificar su

conductividad eléctrica.

6.- Diga porque hay una corriente muy pequeña en un diodo polarizado en inversa:

La energía eléctrica crea continuamente pares de electrones libres y huecos, lo

que significa que en ambos lados de la conexión P-N, existen pequeñas

concentraciones de portadores minoritarios. La mayor parte de estas se

recombinan con los portadores mayoritarios, pero los que se hayan dentro de la

zona de deflexión pueden vivir lo suficiente para cruzar la unión. Cuando esto

sucede, por el circuito externo circula una pequeña corriente.

8.-¿ Por qué un diodo emisor de luz produce luz?

La tensión aplicada eleva los electrones a niveles superiores de energía, cuando

estos electrones caen de nuevo a niveles de energía inferiores desprenden

energía, en forma de luz en el caso del diodo emisor de luz (led).

10.- ¿Qué es la corriente superficial de fugas?

Es una pequeña corriente que circula sobre la superficie del cristal. Es causada

por impurezas en la superficie del cristal.

12.-¿En qué se diferencian el silicio extrínseco y el intrínseco?

Como intrínseco el silicio se comporta como aislante en el extrínseco se le agrega

un electrón de valencia haciéndolo actuar como conductor.

14.- En la unión pn de un diodo ¿Cuáles son las cargas portadoras que se

mueven, huecos o electrones libres?

Los huecos son las cargas portadoras que se mueven.

PROBLEMAS RESUELTOS

2-6 Un diseñador debe utilizar un diodo de silicio entre las temperaturas de 0C a

75c. ¿Cuáles serán los valores mínimo y máximo de la barrera de potencial?

Vmax= (-2x10-3)(0ᵒC-25ᵒC)

Vmax= 50mV

Vb= 0,7V+0,05V= 0,75V

Vmin= (-2x10-3)(75ᵒC-25ᵒC)

Vmin= -100mV

Vb= 0,7-0,1=0,6V

2-7 Un diodo de silicio tiene una corriente de saturacion de 10nA a 25ᵒC. Si debe

funcionar en el rango de 0ᵒC a 75ᵒC, cuales serán los valores máximos y minimos

de la corriente de saturación?

El cambio de temperatura es:

∆T= 0ᵒC -25ᵒC= -25ᵒC

∆T= 75ᵒC-25ᵒC= 50ᵒC

Según la ecuación(2-5), la corriente se dobla siete veces entre 5ᵒC y 80ᵒC

Is= ( )(10nA)= 1280nA

Y tomando como referencia la ecuación (2-6) hay cinco adicionales entre 5 y 80

Is= (1,0 )(1280)1795nA

2-7 Si la corriente superficial de fugas es 2nA para una tensión inversa de 25V

¿Qué valor toma la corriente superficial de fugas para una tensión inversa de 35V?

IsL = = 2,8nA

1.- Cuando la representación de la corriente en función de la tensión es una línea

recta, el dispositivo se conoce como: LINEAL

2.- ¿Qué clase de dispositivo es una resistencia? LINEAL

3.- ¿Qué clase de dispositivo es un diodo? NO LINEAL

4.-¿Cómo esta polarizado un diodo que no conduce? INVERSAMENTE

5.- Cuando la corriente por el diodo es grande, la polarización es?DIRECTA

6.- ¿La tensión umbral de un diodo es aproximadamente igual a: LA BARRERA

DE POTENCIAL

8.- En la segunda aproximación, ¿Qué tensión hay en un diodo de silicio

polarizado en directo? 0,7V

9.- En la segunda aproximación, ¿Qué corriente hay en un diodo de silicio

polarizado en inversa? 1mA

13.- El diodo ideal es generalmente adecuado para: HACER CALCULOS

PRECISOS

14.- La segunda aproximación funciona bien para:DETECCION DE AVERIAS

15.- La única ocasión en la es necesario utilizar la tercera aproximación es

cuando: NINGUNA DE LAS ANTERIORES