ConvEstat Prep 3
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ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA DEPARTAMENTO DE AUTOMATIZACIÓN Y CONTROL INDUSTRIAL
Realizado por Alumno(s): Andrés D. Ron S. Grupo: Semestre:
Septiembre 2009 - Febrero 2010
LABORATORIO DE:
CONVERSORES ESTÁTICOS
INFORME PREPARATORIO
Jueves 16-18
Práctica #: 03 Tema: RETARDO EN LA CONMUTACIÓN DE UN CONVERSOR AC-DC MONOFÁSICO SEMICONTROLADO .
Fecha de Entrega 08/10/2009 ----------------------- f : Recibido por
Fecha de Entrega 17/09/2009 -----------------------
f : Recibido por
LABORATORIO DE CONVERSORES ESTÁTICOS
Andrés D. Ron S.
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL FACULTAD DE INGENIERIA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
LABORATORIO DE CONVERSORES ESTÁTICOS
PREPARATORIO Nº 03 TEMA: RETARDO EN LA CONMUTACIÓN DE UN CONVERSOR AC-DC MONOFÁSICO SEMICONTROLADO
OBJETIVOS:
Estudiar el retardo en la conmutación que se produce en los conversores AC-DC y sus efectos tanto en la carga como en la red de alimentación.
TRABAJO PREPARATORIO 1. Realizar el análisis teórico completo del conversor AC/DC monofásico semicontrolado.
Establecer las relaciones de P, S, fp y fpd y además las relaciones que permitan evaluar los efectos de la operación de los conversores en la red como: ángulo de traslape, voltajes por pedidas, voltajes de salida, etc.
Análisis sin Considerar Traslape:
dwtwtsenVfVd 21
)cos(wtVf
Vd2
)cos(12 Vf
Vd
ivP
dwtwtsenIVfP 21
DCIVdP
)cos(12
IVf
P
rmsrms VIS
dwtII rms
22 1
60 Hz
-169/169V
Carga
T2T1
D2D1
Ls
Ls
LABORATORIO DE CONVERSORES ESTÁTICOS
Andrés D. Ron S.
22 I
I rms
1II rms
1IVfS
ivsenIVQ ,11
dwtwtIdwtwtIA
2
1
1coscos
2
1 wtsenwtsenI
A
senI
A2
1
dwtwtsenIdwtwtsenIB
2
1
1
2
1 wtwtI
B coscos
12
1 cosI
B
2
11
AVQ
senIVf
Q2
2
S
Pfp
1
12
IVf
IVf
fp
cos
12
cosfp
1
1
C
Bfpd vicos
cos
cos
12
1fpd
2
1cosfpd
Análisis con Traslape:
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Andrés D. Ron S.
wtsenVfVA 2
Vxdt
diLsV a
A
dt
diLsVx a
2
AVVx
dt
diLsV a
A 2
dtwtsenVfLs
dtdt
dia 22
1
kwtLsw
Vfia cos
2
Condiciones de Frontera: wt 0ai
kLsw
Vfcos
20
cosLsw
Vfk
2
coscos wtLsw
Vfia
2
Condiciones de Frontera: wt Iia
coscosLsw
VfI
2
Vf
LswI2coscos
Vf
LswI210cos
10coscoscos
Carga
Ls
Ls
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Andrés D. Ron S.
Reducción del Voltaje Medio:
dwtwtsenVfVdu 21
coscos2
2 VfVdu
Vf
Vd22
0
)cos(12
0VdVd
40
coscos
Vd
Vdu
VduVdVdu
coscoscos4
12
00 VdVdVdu
221
2
0 coscosVdVdu
4
2
0
coscos
Vd
Vdu
2. Calcular los parámetros establecidos en el literal anterior, en base a los valores de:
o Ventrada= 120 V o Icarga = 0.5 A o Vo = 100 V o L1 = L2 = 0.1 mH o Transformador: 100 kVA, 120 VLL, Zpu=3% o Carga altamente inductiva
wKVA
VZL rms
ST2
102 32%
HzKVALST
6021002
102120030 32.
HLST 216.
STS LLL 1
HmHLS 21610 ..
mHLS 11620.
)cos(11202
100V
VVd
101954
100
.cos
6631.
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Andrés D. Ron S.
)cos(12
IVf
P
).cos(. 66311501202
AV
P
WP 50
senIVf
Q2
2
66312
501202.
.sen
AVQ
VARQ 17614.
1IVfS
550150120
.. AVS
VAS 554.
12
cosfp
1550550
2.cos
.fp
91750.fp
2
1cosfpd
2
1550.cosfpd
9620.fpd
Vf
LswI2coscos
120
1160260502550550
mHA ...cos.cos
02810.
coscos2
2 VfVdu
02810663166312
1202..cos.cos
VVdu
mVVdu 9556.
)cos(12 Vf
Vd
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)..cos( 02810663111202 V
Vd
VVd 98699.
3. Realizar la simulación del circuito a implementar en la práctica y presentar las formas de onda
de voltaje y corriente obtenidas en la simulación estableciendo el ángulo de traslape.
Voltaje en la Línea
Voltaje en la carga para α=30
Corrientes de Activación de los Tiristores
L30.116mH
L20.116mH
59.9 Hz
V30/15V
59.9 Hz
V20/15V
L1100mH
SCR2
T106D1
SCR1T106D1
D21N4007
D11N4007
60 Hz
V1-120/120V
R11k
0.000ms 5.000ms 10.00ms 15.00ms 20.00ms 25.00ms 30.00ms 35.00ms 40.00ms 45.00ms
125.0 V
100.0 V
75.00 V
50.00 V
25.00 V
0.000 V
-25.00 V
A: scr1_1
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms
22.50 V
17.50 V
12.50 V
7.500 V
2.500 V
-2.500 V
-7.500 V
A: v2_1
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms
22.50 V
17.50 V
12.50 V
7.500 V
2.500 V
-2.500 V
-7.500 V
A: v3_1
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Andrés D. Ron S.
4. Diseñar y traer armado el conversor AC/DC monofásico semicontrolado con los valores establecidos en el literal 4.2. El diseño debe incluir el circuito de control.
Se diseña un oscilador de relajación por medio de un UJT. Se ha seleccionado para este propósito el 2N2646 con las siguientes características: 2N2646
o IE(P)= 1uA o IE(V)= 6mA
o 0.56 < < 0.75 o VEB1(SAT)= 3.5V
VzVVp D
VVVp 156060 ..
VVp 69.
Angulo de Disparo: 20 < α < 160 360 16.67ms
20 x = 0.9259ms P = 0
360 16.67ms
160 x = 7.4074ms P = Pmax
Asumo: FC 10.
Para α = 20
VpVz
VvVzCRt lnmin 5
36126056915
53151092590 55 .
.
.ln.. R
VV
VVFRms
KR 105
Para α = 160
VpVz
VvVzCRPt lnmax 5
21879886915
5315101040747 .
.
.ln.. P
VV
VVFKPms
P
R1
R2
R3
R5
Q12N2646
C1
D1 D2
D3 D4
Dz
60 Hz
-169/169V
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Andrés D. Ron S.
KP 100
Por criterios de diseño 32 10 RR se escoge:
KR 12 y 1003R
Para Rz=R1, se ha seleccionado el Diodo Zener 1N4744 donde IZM=61mA:
Iz
VzVfR
21
16253661
1512021 .
mA
VVR
KR 721 .
KmARIzPR 72612
1
2
1.
WPR 46101
.
El circuito de Potencia en la parte del puente lo conforma el SCR TIC-106D
Bibliografía:
Alberto Martín Pernía. Protección eléctrica de semiconductores. UNIVERSIDAD DE OVIEDO
http://search.datasheetcatalog.net/key/BUT92
HART, Daniel W. Electrónica de Potencia. Prentice Hall. España 2001