Componente electrónico FET

Electrnica General Ing. Ivon Escobar 1

Electrnica General

Barrera Kevin

Cruz Christyan

Tapia Diego

Departamento de Elctrica y Electrnica

07 08 2014


Caractersticas de los FET

Objetivos:

a) Analizar el comportamiento y las caractersticas del transistor FET.

b) Construir la curva caracterstica del FET

c) Utilizar herramientas de simulacin para analizar el comportamiento del

circuito implementado

Materiales:

a) 4 pares de cables para la fuente.

b) Cables para proto y Multimetro

c) Un fusible de 2A a 250V o uno de 3A a 250V

d) Un destornillador pequeo

e) 3 resistencias de 1 KOhm

f) Un potenciometro de 1 KOhm

g) Un potenciometro de 100 KOhm

h) 1 FET K161

i) Fuentes de +-15 Voltios

j) Multimetro

k) Protoboard

Marco Terico:

Un dispositivo que posee una alta impedancia de entrada es el transistor de

efecto de campo (FET), es en realidad una familia de transistores que se basan

en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un

material semiconductor. Los FET pueden plantearse

como resistencias controladas por diferencia de potencial.


El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En

los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT,

donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin

con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada.

Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado

que hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos.

Cuando la tensin VDD se aplica como se muestraen la figura 4-8-1, el

drenador (D) se vuelve positivo con respecto a la fuente (S) y los electrones

fluyen de la fuente hacia el drenador a travs del canal. As como

los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o

FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la

aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de

conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de

campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son el

componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.


Transistor Jfet k161

Procedimiento:

1. Ponga el mdulo KL-13007 en a unidad principal KL-21001, y luego

localice el bloque e.


2. De acuerdo con la figura 4-8-3 y la Figura 4-8-4, complete el circuito del

experimento con grapas de corto-circuito.


3. Aplique -15V a V- VR5 se usa para cambiar la tensin VGs.

4. Aplique +15V a V+ VR6 se usa para cambiar la tensin VDs.

5. Gire VR5 completamente a la izquierda hasta obtener VGS=0.

Conecte el Voltmetro a los terminales D y S del JFET, gire VR6 hasta

obtener VDs=1V indicada por el voltmetro.

6. Mida la corriente de drenado ID indicada por el miliampermetro y anote

el resultado en la Tabla 4-8-1.

7. Para cada uno de los valores de VDs en la Tabla 4-8-1, mida ID y anote

los resultados.

Tabla 4-8-1

VGs=0V

VDS(V) 1 2 3 4 5 6 7 8

ID(mA) 6.9 8.3 8.57 8.6 8.6 8.6 8.6 8.6

0

6,9

8,3 8,57 8,6 8,6 8,6 8,6 8,6

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Id (mA)

Vd (V)

Curva caracteris:ca del FET

Vgs 0


8. Gire VR5 hasta obtener VGS = -0.25V indicada por el Voltmetro.


los resultados.

Tabla 4-8-2

VGs= -0.25V

VDS(V) 1 2 3 4 5 6 7 8

ID(mA) 5.1 5.6 5.8 5.84 5.86 5.88 5.88 5.88



los resultados.

Tabla 4-8-3

0

5,1 5,6 5,8 5,84 5,86

5,88 5,88 5,88

0

1

2

3

4

5

6

7

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Id (mA)

Vd (V)


Vgs 0.25


VGs= -0.5V

VDS(V) 1 2 3 4 5 6 7 8

ID(mA) 3.1 3.5 3.6 3.63 3.64 3.64 3.64 3.64



los resultados.

Tabla 4-8-2

VGs= -0.75V

VDS(V) 1 2 3 4 5 6 7 8

ID(mA) 1.6 1.85 1.92 1.93 1.93 1.93 1.93 1.94

0

3,1

3,5 3,6 3,63 3,64 3,64 3,64 3,64

0

0,5

1

1,5

2

2,5

3

3,5

4

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Id (mA)

Vd (V)


Vgs -0.5


14. Dibuje los resultados de la Tabla 4-8-1 en el cuadro de la Figura 4-8-5,

luego trace una curva suave a travs de estos puntos y marque los

valores de VGs en la Curva. Esta curva ser la curva de VDs vs. ID del

FET para VGs=0.

15. Repita el paso 14 para los resultados de las tablas 4-8-2, 4-8-3 y 4-8-4.

0

1,6

1,85 1,92 1,93 1,93 1,93 1,93 1,94

0

0,5

1

1,5

2

2,5

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Id (mA)

Vd (V)


Vgs -0.75

0

6,9

8,3 8,57 8,6 8,6 8,6 8,6 8,6

0

5,1 5,6 5,8 5,84 5,86 5,88 5,88 5,88

0

3,1 3,5 3,6 3,63 3,64 3,64 3,64 3,64

0

1,6 1,85 1,92 1,93 1,93 1,93 1,93 1,94

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Id (mA)

Vd (V)


Vgs 0

Vgs 0.25

Vgs -0.5

Vgs -0.75


16. Complete las cuatro curvas de VDs vs. ID.

Anlisis de los Resultados

La datos obtenidos en la practica nos permite determinar el punto en el cual el

JFET se satura, de la misma manera dependiendo del valor del voltaje Vgs,

variara el punto de saturacin del JFET con una Id constante en el punto de

saturacin dndonos como resultado la curva caracterstica del JFET.

Conclusiones

1. Las curvas caractersticas obtenidas experimentalmente presentan el

comportamiento esperado con el modelo terico, las diferencias en los

datos se presentan por lo rangos de los parmetros especificados en el

datasheet.

2. En los JFET, el valor de la corriente de dreno Id, es proporcional a la

diferencia entre Vgs y Vp. Luego, cuanto mayor sea Vgs - Vp, mayor

ser la corriente obtenida.

3. En un JFET la corriente crece proporcionalmente a una tensin VD. Sin

embargo este crecimiento no depende ms de VD cuando se llega a

VDsaturado. Despus, se trabaja en la regin de saturacin en la que

las variaciones de ID slo dependen de VGS.

Bibliografa

A. www.areatecnologia.com/TUTORIALES/EL%20TRANSISTOR.htm,Demi

an Scotland, 2011.


B. http://iesvillalbahervastecnologia.files.wordpress.com/2008/04/transistore

s.pdf,Spencer Taylor, 2009.

C. http://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor.php, TCL Acoust,

2003

D. Albert Paul Malvino (1989).Principios de electrnica, tercera edicin,

Pginas 55-131

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