Características a tener en cuenta para un IGBT

Debe evitarse el Latch-up, porque se pierde el control. Entrada en conducción del SCR parásito

Métodos para evitar el Latch-up en IGBT

1) Limitar ID máxima al valor recomendado por el fabricante.

2) Limitar la variación de VGS máxima al valor recomendado por el fabricante (retardando el apagado del dispositivo).

En la construcción del dispositivo, se intentará disminuir la resistencia de dispersión de sustrato del dispositivo:

1) Construir el sustrato como dos regiones de diferente dopado

2) Eliminar una de las regiones de fuente en las celdillas.

Se diseña para que cuando VGS = VGSMAX la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda actuar una protección electrónica cortando desde puerta.

VDSmax es la tensión de ruptura del transistor pnp es muy baja, seráVDSmax=BVCBO Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios.

La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC

Hay en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.

La tensión Vds difícilmente varía con la temperatura, se pueden conseguir grandes corrientes.

El dispositivo mas usado para potencias entre kW y un par de MW, a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz. Es el IGBT. Es el que mejor trabaja

Efecto de VGS y la corriente de drenador sobre la caída en conducción (Pérdidas en conducción). ⇒ Uso de VGS máximo (normalmente=15V). Efecto de la corriente de drenador sobre la derivada de la caída en conducción respecto a la temperatura.

• Derivadas positivas permiten conexión en paralelo.

• Los dispositivos aislados es preferible una derivada negativa, ya que al subir la corriente, sube la temperatura disminuyendo la caída de potencial (suben menos las pérdidas).

• En los PT-IGBT, la corriente nominal suele quedar por debajo del límite (siempre derivadas negativas) en los NPT-IGBT, se suele trabajar en zona de derivada positiva.

Las capacidades que surgen suelen ser:

• Cre o Cmiller : es la Cgd.

• Ci, Capacidad de entrada: es la suma de Cgd y Cgs. (Medida manteniendo VDS a tensión constante).

• Co, Capacidad de salida: es la suma de Cgd y Cds. (Medida manteniendo Vgs a tensión constante).

Comparación de prestaciones entre los diferentes dispositivos de electrónica de potencia.

Dispositivos de potencia más utilizados, haciendo especial ahínco en los límites de tensión, corriente y frecuencia de trabajo.

Tabla de trabajo

Aplicaciones de los diferentes tipos de semiconductores en la electrónica de potencia

Los más usados que se encuentren en VenezuelaEntre los mas usados se encuentra

Transistor IGBT IRGB6B60

Category Discrete Semiconductor Products

Family IGBTs - Single

Series -

IGBT Type NPT

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 5A

Current - Collector (Ic) (Max) 13A

Power - Max 90W

Input Type Standard

Mounting Type Through Hole

Package / Case TO-220-3

Supplier Device Package TO-220AB