ELECTRÓNICA ANALÓGICA-DIGITAL

EL TRANSISTOR BIPOLAR BJT.

Ing. Diego Valladolid, Mgt.

CAPÍTULO 3

•El primer transistor el 23 de Dic. De 1947 •Desarrollado por Walter H. Brattain y Joseph Barden •Es un dispositivo semiconductor formado por dos capas de material tipo n (ó p) y una capa entre ellas de material tipo p (ó n). •Existen transistores npn ó pnp •Dispositivos de 3 terminales (emisor, base y colector)

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CAPÍTULO 3

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CAPÍTULO 3

DEFINICIÓN Un Transistor es un dispositivo semiconductor (silicio, germanio), que permite amplificar señales de voltaje, es decir, utilizando pequeñas señales, puede controlar elementos que requieren mayor señal.

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Modo Unión E-B Unión C-B

Corte Inverso Inverso

Activo Directo Inverso

Saturación Directo Directo

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SIMBOLOGIA

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CAPÍTULO 3

TRANS. NPN Y PNP

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CAPÍTULO 3

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C

B

E

Diodo Colector Base

(Salida)

Diodo Emisor Base

(Entrada)

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IC

IE

IB

Análisis de Corrientes del BJT

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+

+

+

–

+ –

– – V

BB

V CC

R C

R B

I B

I C

I E

V BE

V CE

Parámetros Etapa de Entrada:

VBB = Voltaje de la Fuente de Base

RB = Resistencia de polarización por la Base

IB = Corriente de Base

VBE = Voltaje Diodo Base-Emisor (0,6 V) Silicio

Parámetros Etapa de Salida:

VCC = Voltaje de la Fuente de Colector

RC = Resistencia limitadora de Colector

IC = Corriente de Colector

VCE = Voltaje Colector-Emisor

IE = Corriente de Emisor

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ZONA DE OPERACIÓN

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EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT): Funciones básicas del BJT en Emisor Común

Amplificación: BJT Trabajando en la Zona Activa

Conmutación: BJT Trabajando en las Zonas de Corte y Saturación