3.2.3 Tipos de memorias

Tipos de memorias: RAM y ROM. Actualmente el tipo de memorias que se

emplean con carácter universal, son las memorias de semiconductores. Los elementos semiconductores utilizados hasta ahora para realizar estas memorias son el Silicio (Si) y el Germanio (Ge), pero en la actualidad se está también utilizando el Arseniuro de Galio (AsGa).

Memorias de sólo lectura: ROM (Read only memory). Se caracterizan

por ser memorias de lectura y contienen celdas de memoria no volátiles, es decir que la información almacenada se conserva sin la necesidad de energía. Este tipo de memorias se emplean para almacenar información de forma permanente o información que no cambie con mucha frecuencia.

Atendiendo a la manera en que son grabadas se pueden distinguir varios tipos:

a) ROM: La palabra ROM puede ser aplicada a cualquiera de estos tipos de memoria, pero en este caso vamos a reservarla para memorias grabadas de fábrica en las que los transistores están dispuestos de la manera necesaria para que se lean los valores que debe contener.

b) PROM (Programable Read Only Memory): Este tipo de memorias son similares a las anteriores. Son memorias que pueden grabarse, aunque una sola vez. Una vez grabada la información no podemos cambiarla, tan sólo leerla.

c) EPROM (Erasable Programable Read Only Memory): En este caso, la información puede ser modificada por el usuario un número limitado de veces. Para grabar la información se necesita un aparato especial, llamado grabador de EPROM. Antes de regrabar una EPROM hay que borrar el contenido anterior, para ello se emplea luz ultravioleta y posee una ventana que permite el paso de la misma, normalmente esta tapada para evitar un borrado accidental.

d) EEPROM (Electricaly Erasable Programable Read Only Memory): Se diferencian de las anteriores en que pueden borrarse y grabarse en el mismo sistema informático y, en este caso, tanto la operación de borrado como de escritura se hace mediante el paso de corriente eléctrica. La información es borrada simultáneamente en todas las células de memoria.

Memorias de lectura/escritura: RAM (Random access memory). Se

caracterizan por ser memoria de lectura/escrita y contienen un conjunto de variables en dirección que permiten seleccionar cualquier dirección de memoria de forma directa e independiente de la posición en la que se encuentre.

Podemos distinguir dos tipos de memorias RAM: a) DRAM (Dinamic Random Access

Memory): Son memorias en las cuales el estado (0 ó 1) se almacena en un dispositivo electrónico cuya forma de funcionamiento podemos compararla con un condensador que tiende a descargarse. Por ello, cada cierto tiempo, entre 1 y 18 millones de veces cada segundo, hay que enviar una señal, que se denomina señal de refresco, que recuerde a la memoria la información que posee, ya que ésta, se pierde poco después de haberse introducido.

La capacidad de las memorias DRAM va de 64Kbit a 32Mbit (la capacidad de los chips de memoria se suele medir en bits y no en bytes).

Las figuras siguientes representan los distintos tipos de módulos de memoria que sehan existido y existen, así como los tamaños del bus de datos y direcciones de cada uno, en el caso de las memorias dinámicas la memoria direccionable es el doble del tamaño del bus de direcciones, ya que las direcciones se dividen en filas y columnas y se envían consecutivamente ambas por el mismo bus.

b) SRAM (Static Random Access Memory): La diferencia fundamental con las memorias anteriores es que no necesitan refresco, para ello emplean varios transistores por bit, lo cual reduce la capacidad de la memoria y hace que sean más caras que las DRAM (a igualdad de capacidad), a cambio son más rápidas que las DRAM.

En la evolución de la memoria DRAM nos encontramos con la SDRAM (Synchronous DRAM). Utiliza como modo de encapsulado el módulo DIMM, consiguiendo con ella que la memoria esté sincronizada con el bus de datos y con el reloj del procesador, incrementándose así, la tasa de trasferencia de datos, ya que el procesador sabe perfectamente en que ciclos puede realizar lecturas y escrituras. Además admite que se envíen comandos en los que se especifica que bancos refrescar o actualizar. La diferencia básica con el anterior de modelo es que la memoria es ahora la que espera para establecer sincronía con el resto del sistema.