2N2219A 2N2222AALTA VELOCIDADDESCRIPCIN El 2N2219A y 2N2222A son de silicona transistores NPN epitaxial planar en Jedec A-39 (para 2N2219A) y de Jedec A-18 (para 2N2222A) caja de metal. Estn diseados para la alta velocidad de conmutacin de corriente de colector aplicacin hasta 500mA, de gran utilidad y ganancia de corriente en una amplia gama de corriente de colector, bajo las corrientes de fuga y baja tensin de saturacin.2N2219A, aprob para la CECC 50002-100, 2N2222A, aprob para la CECC 50002-101 A-18 A-39 disponible bajo peticin.ESQUEMA INTERNOVALORES MXIMOS ABSOLUTOSParmetro Smbolo Valor UnidadTensin Collector-Base firma VCBO Architecture (IE = 0) 75 V VCEO tensin de emisin (IB = 0) 40 V VEBO Emitter-Base Tensin (IC = 0) 6 V corriente de colector IC 0,8 Ao disipacin Total Ptot en Tamb 25 C para 2N2219A 0.8 W para 2N2222A 0,5 W a Tencapsulado 25 oC de 2 A 3 N2219W para 2N2222A 1.8 Ws Tstg Temperatura de almacenamiento -65 a 200 Co Tj Max. Temperatura de la Unin de 175 CJunio de 1999 1/82N2219A/ 2N2222ADATOS TRMICOSRthj-caso resistencia trmica Junction-Case Max Rthj-amb resistencia trmica Junction-Ambient MaxCARACTERSTICAS ELCTRICAS (Tcase = 25oC, a menos que otherwisespecified)A-39 A-1883,3 o 50 C/Ws 300 187,5 C/WSmbolo Parmetro Min Condiciones de prueba. Tip. Max.Colector de ICBO Corte de VCB = 60Vde corriente (IE = 0) VCB = 60 V = 150 C TcaseColector ICEX Corte de VCE = 60 V 1010 nA nA 10 Acorriente (VBE = -3V)IBEX Corte de Base actual VCE = 60 V 20 nA (VBE = -3V)Emisor IEBO Corte de VEB actual = 3V 10 nA (IC = 0)V(BR)CBO Collector-Base IC= 10 A 75 V tensin de ruptura (IE = 0)V (BR) de emisin CEO IC= 10 mA 40 V tensin de ruptura (IB = 0)V(BR)EBO Emitter-Base IE= 10 A 6 V tensin de ruptura (IC = 0)V CE(sat) de emisin IC = 150 mA IB = 15 mA Tensin de Saturacin IC= 500 mA IB = 50 mAVBE(sat); Potencial baseemisor * IC = 150 mA IB = 15 mA Tensin de Saturacin IC= 500 mA IB = 50 mADC hFE Ganancia de corriente IC = 0,1 mA V CE = 10V IC = 1 mA VCE = 10V IC = 10 mA VCE = 10V IC= 150 mA VCE = 10V IC= 500 mA VCE = 10V IC= 150 mA VCE = 1V IC = 10V = 10mA VCE o Tamb = -55Chfe Pequea Seal de corriente IC = 1 mA VCE = 10V f= 1KHz0,3 V 1 V 0,6 V 1,2 V 235 50 75 100 300 40 50 35Obtener IC= 10mA VCE = 10V f= 1KHz 50 300 75 375pies Transicin Frecuencia IC = 20 mA VCE = 20V f = 100MHzEmisor utilizaron TROZOS Base IC = 0 VEB = 0,5 V f= 100KHz 25 pFLA OFICINA INTERNACIONAL CATLICA 300 MHz capacitancia de coleccionistas IE = 0 VCB = 10V f= 100KHz 8 pF CapacitanciaRe(j) parte de la entrada Real IC = 20 mA VCE = 20V Impedancia f = 300 MHz% * por impulsos: duracin de pulso = 300 s, el ciclo de servicio 12/860 2N2219A/ 2N2222ACARACTERSTICAS ELCTRICAS (continuacin)Smbolo Parmetro Min Condiciones de prueba. Tip. Max.Figura de Ruido NF Unidad IC = 0,1 mA V CE = 10V f =4 dB 1KHz R g = 1KImpedancia de entrada h ie IC = 1 mA VCE = 10 V 2 8 k IC= 10mA VCE = 10 V 0,25 1,25 k-4 edh tensin inversa Proporcin IC = 1 mA VCE = 10V 8 10-4 IC= 10mA VCE = 10 V 4 10salida azada Admisin IC = 1 mA VCE = 10 V 5 a 35 S IC= 10mA VCE = 10 V 25 200 STiempo de retardo td VCC = 30V IC = 150 mA 10 ns IB1 = 15 mA de VBB = -0.5Vtr Tiempo de subida VCC = 30V IC = 150 mA 25 ns IB1 = 15 mA VBB = -0.5Vts Tiempo de almacenamiento VCC = 30V IC = 150 mA 225 ns IB1 = -IB2 = 15 mATiempo de Cada tf VCC = 30V IC = 150 mA 60 ns IB1 = -IB2 = 15 mArbb' Cb'c Tiempo de Retroalimentacin IC = 20 mA VCE = 20V 150 ps constante de f = 31.8MHz Ver prueba del circuito % * por impulsos: duracin de pulso = 300 s, ciclo de trabajo 13/82N2219A/ 2N2222ADC normalizado Ganancia de corriente. Colector-emisor Tensin de saturacin.Contornos de Banda Estrecha constante figura de ruido. Tiempo de conmutacin de corriente de colector.4/82N2219A/ 2N2222AProbar el circuito fot td, trGENERADOR DE PULSOS: OSCILOSCOPIO tr 20 ns tr 5,0 ns PW 200 ns ZIN < 100 K ZIN = 50 CIN 12 pFcircuito de pruebas para td, trGENERADOR DE PULSOS: OSCILOSCOPIO :PW 10 s t r < 5,0 ns = 50 ZIN ZIN > 100 K TC 5,0 ns CIN 12 pF5/82N2219A/ 2N2222Ade 18pulgadas DATOS MECNICOS mm DIM.MIN. TIP. MAX. MIN. TIP. MAX.12.7 0,500B 0,495,3 0,208 0,019 DEF 5,8 4,9 0,193 0,2280,100 G 2,54H 1,21,16 0,047 0,045s I L 45 o 45D A GIHF ELB C00160436/82N2219A/ 2N2222A-39 DATOS MECNICOSmm pulgadas DIM.MIN. TIP. MAX. MIN. TIP. MAX.12.7 0,500B 0,496,6 0,260 0,019 DEF 9,4 8,5 0,334 0,3700,200 G 5,08H 1,20,9 0,047 0,035s I L 45 (typ.)D A GIHF ELBP008B7/82N2219A/ 2N2222AInformacin proporcionada es precisa y confiable. Sin embargo, STMicroelectronics no asume ninguna responsabilidad por las consecuencias del uso de dicha informacin, ni de cualquier infraccin de patentes u otros derechos de terceros que puedan resultar de su uso. No se concede licencia por implicacin o de otra manera bajo ninguna patente o derechos de patente de STMicroelectronics. Las especificaciones mencionadas en esta publicacin estn sujetos a cambio sin previo aviso. Esta publicacin anula y reemplaza a toda la informacin suministrada anteriormente. 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