TRANSISTOR MOS: TEMA 3 · TEMA 3.2 Zaragoza, 4 de abril de 2011. ÍNDICE TRANSISTOR MOSFET Tema 3.2...

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TRANSISTOR MOS:TEMA 3.2

Zaragoza, 4 de abril de 2011

ÍNDICE

TRANSISTOR MOSFETTema 3.2

• Problemas• El MOSFET en pequeña señal

TRANSISTOR MOSFETTema 3.2

• Problemas• El MOSFET en pequeña señal

4

PROBLEMA

Introducción

INVERSOR CON CARGA RESISTIVA

5

Corte para ⇒ 0 ⇒

primerosaturaciónydespuéscorteLímite

SATURACIÓN:

2LINEAL:

2 2

PROBLEMA

Introducción

6

1,17

Introducción

INVERSOR CON CARGA SATURADA

7Introducción

INVERSOR NMOS O CON MOS DE VACIAMIENTO

8Introducción

9Introducción

INVERSOR CMOS

10Introducción

TRANSISTOR MOSFETTema 3.2

• Problemas• El MOSFET en pequeña señal

12

En aplicaciones dinámicas Polarizado en saturación para aplicaciones de aplicación

EL MOSFET EN PEQUEÑA SEÑALMODELO EN SATURACIÓN A BAJAS FRECUENCIAS

Introducción

13

EL MOSFET EN PEQUEÑA SEÑALMODELO EN SATURACION A BAJAS FREC.

Introducción

14Introducción

EL MOSFET EN PEQUEÑA SEÑALMODELO EN SATURACION A BAJAS FREC.

15

2

Introducción

EL MOSFET EN PEQUEÑA SEÑALMODELO EN SATURACION A BAJAS FREC.

16

Se deben incluir efectos capacitivos debidos a las uniones y al óxido depuerta.

El D/S con el sustrato forman dos uniones P‐N en inversa

EL MOSFET EN PEQUEÑA SEÑALMODELO EN SATURACION EN ALTA FRECUENCIA

Introducción

17Introducción

EL MOSFET EN PEQUEÑA SEÑALMODELO EN SATURACION EN ALTA FRECUENCIA