Memoria RAM · Static RAM Es una memoria que utiliza semiconductores Mantiene los datos mientras se...

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Memoria RAMDaniel Rojas UTN

Wednesday, June 11, 14

RAM

Random Access Memory

Es una de las partes más importantes de la computadora

Se pueden acceder datos de cualquier ubicación y en cualquier momento (contrario a las cintas magnéticas, que era necesario acceder los datos en orden)

Sirven para almacenar datos

Wednesday, June 11, 14

RAM

Se le conoce como memoria volátil, debido a que una vez que se apaga la computadora los datos se pierden

Normalmente se implementa a través de circuitos integrados en pequeñas tarjetas

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RAM

Wednesday, June 11, 14

Static RAM

Es una memoria que utiliza semiconductores

Mantiene los datos mientras se mantenga encendida la computadora

Los datos se guardan utilizando 4 transistores en flip-flop

Tiene 3 modos de operación: Standby, Leer y Escribir

Wednesday, June 11, 14

Flip Flop

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Static RAM

Standby:

Si los datos guardados no se están usando, la memoria se ubica en Stand By

Los cuatro transistores guardan el valor de forma indefinida

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Static RAM

Leer:

Para leer el valor se utilizan los transistores de acceso en la parte de afuera del circuito

Activando estos transistores causa que en la líneas de bit esté el valor leído

Las líneas de bits son complementarias

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Static RAM

Escribir:

Para escribir un valor se utilizan los transistores de afuera para unir las dos líneas de bit a los transistores internos

Se puede escribir el mismo valor o cambiarlo

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Static RAM

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Dynamic RAM

Un bit se representa utilizando un transistor y un capacitor

El capacitor mantiene el valor representado (un 1 o un 0)

El transistor sirve para leer el valor o modificarlo

Debido a la naturaleza del capacitor, en algunos casos es necesario recargarlo para que sostenga el 1

Este proceso se le conoce como refrescamiento

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Dynamic RAM

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Clasificación física

SIMM

DIMM

RIMM

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SIPP

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SIMM

Responde a las siglas Single In-line Memory Module

Es un formato para módulos de memoria RAM que consisten en placas de circuito impreso sobre las que se montan los integrados DRAM.

Los contactos de ambas caras están interconectados.

Dos de las configuraciones más conocidas son 30 y 72 pines

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SIMMAlgunas memorias SIMM tienen una funcionalidad llamada “Presencia detectada”

Consiste en algunos pines donde se codifica la capacidad y la velocidad de la memoria

Esto permite que cuando se conecte a un equipo compatible, el equipo la pueda reconocer y detectar sus propiedades

También se pueden usar en equipos no compatibles, donde únicamente se ignora la información

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SIMM

Wednesday, June 11, 14

DIMM

Responde a las siglas Dual Line Memory Module

La principal diferencia con los SIMM es que tienen cada pin de una de sus caras separados del opuesto de la otra

Comenzaron a reemplazar a los DIMM con el lanzamiento del Intel Pentium

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DIMM

La comunicación con la memoria Caché es a 64 bits, mientras que los SIMM se comunican a 32

A diferencia de los SIMM tienen una muesca adicional

Poseen 84 contactos de cada lado

Existe una versión SO DIMM para portátiles

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DIMM

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SO DIMM

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RIMM

Responde a la siglas Rambus In-line Memory Module

Desarrollada por Rambus Inc

Se pretendía obtener rendimientos mayores a las SDRAM

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RIMM

Cuentan con 184 pines

Requieren difusores de calor en una placa metálica que recubre toda la memoria

Normalmente se utilizaban en servidores

No tuvieron aceptación en las PC por su alto costo

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RIMM

Rambus no fabricaba las memorias, tenía un sistema de licenciamiento

Samsung fue el mayor fabricante de RIMM

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RIMM

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Clasificación Tecnológica

SDRAM

DDR

DDR2

DDR3

DDR4

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SDRAM

Synchronous Dynamic Random Access Memory

Es una memoria de tipo DRAM, sincronizada por una señal de reloj

Esta memoria está sincronizada con el bus del sistema de la computadora

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SDRAM

El reloj también permite controlar una máquina de estados finita interna que controla la función de pipeline sobre las instrucciones de entrada

Esto permite que el chip reciba una instrucción de entrada antes de terminar de procesar la otra

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SDRAM

Cuando se va a escribir, se pueden enviar otras instrucciones antes de que se haya escrito en memoria

Cuando se va a leer, los datos solicitados aparecen después de una cantidad fija de pulsos de reloj (se pueden enviar más instrucciones) este retraso se llama latencia

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SDRAM

Al inicio se vendían algunos módulos etiquetados a 100 Mhz que no podían funcionar de forma fiable a esa velocidad

Intel posteriormente publicó el estándar PC-100 que definía los requisitos para que una memoria funcionara de forma fiable a 100 Mhz.

Wednesday, June 11, 14

SDRAM

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DDR

Responde a las siglas Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory

También conocida como DDR1

No es compatible ni con DDR2 ni DDR3

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DDR

Es más rápida que las SDR convencionales

Lleva un control muy estricto de las sincronización de las señales y el reloj

Normalmente usa esquemas PLL y autocalibración para alcanzar la exactitud requerida en la sincronización

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DDR

Utiliza un método de Double Pumping, donde se envían datos en las crestas y los valles de la señal de reloj

Esto anterior para utilizar una frecuencia de reloj más baja

En algunas frecuencias el DDR puede duplicar en ancho de banda a SDR, debido a Double Pumping

Funcionando a 100 Mhz se puede transmitir información a 1600 Mb/s

Wednesday, June 11, 14

DDR

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DDR2

Permite mayores velocidades en el bus de datos

Requiere menor potencia debido a que utiliza el reloj a la mitad de la frecuencia del bus de datos

Utilizando un frecuencia de 100 Mhz se pueden transferir datos a 3200 Mb/s

También utiliza Double Pumping

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DDR2

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DDR3

Puede transmitir a 6400 Mb/s

Tiene capacidades de memoria de hasta 8 Gbit

Utiliza 30% menos potencia

Esto debido a que funciona 1.5 V (1.8 V o 2.5 V en DDR2)

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DDR3

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DDR4Están actualmente en fase de producción

Tienen un total de 288 pines DIMM

Transmiten a 1,6 GT/s y se espera lleguen a 3.2 GT/s (billones de transferencias por segundo), DDR3 soportaba 2133 MT/s

Va a funcionar a 1.2 o 1.05 V

Se espera un ahorro de energía del 40%

No es retrocompatilble

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Comparación Física

Wednesday, June 11, 14